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晶體生長爐LFT1600C 20VIM VT

更新時間：  2026-01-27

產(chǎn)品型號：  

產(chǎn)品報價：  

所  在  地：  合肥市新站區(qū)穎河路22號

產(chǎn)品特點：  晶體生長爐可用于多晶錠的定向凝固，通過控制溫度梯度、物質(zhì)傳輸速率及生長參數(shù)，實現(xiàn)單晶的高效、高質(zhì)量生長，適用于碳化硅、單晶硅等材料的制備。

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產(chǎn)品概述

一、簡要介紹

晶體生長爐可用于多晶錠的定向凝固，通過控制溫度梯度、物質(zhì)傳輸速率及生長參數(shù)，實現(xiàn)單晶的高效、高質(zhì)量生長，適用于碳化硅、單晶硅等材料的制備。

該設備主要由設備主體、爐管法蘭組件、控制面板、感應線圈移動機構、物料升降機構、高真空系統(tǒng)、水冷機等組成。

該設備設計溫度為1500℃，PID 程序控溫（自整定調(diào)節(jié) 30段可調(diào)程序控溫）；

感應線圈可升降可更換圈數(shù)，移動行程：200mm，移動速度：1-3mm/h；

內(nèi)含載物坩堝，坩堝配有升降機構，最大行程：200mm，有熱電偶實時測溫；

晶體生長爐LFT1600C 20VIM VT

二、技術參數(shù)

型號

LFT1600C20VIM VT

設備重量

220KG

外型尺寸（長*深*高）

725*1125*1790mm

輸出功率

20KW

震蕩頻率

200-500KHZ

加熱電流

2.8-28A

輸入電壓

三相 380V 50HZ

負載持續(xù)率

100%（24小時連續(xù)工作）

控溫方式

PID控制

測溫方式

熱電偶測溫（可調(diào)節(jié)測溫距離）

設計溫度

1500℃

爐管尺寸

Φ80*500mm

感應線圈

DN80,1/2/3匝

線圈移動行程

200mm

線圈移動速度

1-3mm/h

樣品升降行程

200mm




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